中國光伏行業經歷了大起大落，如今行業市場不佳，產業低迷正處寒冬臘月，但分國際能源網分析師認為任何一個行業在它發展的過程中肯定都會存在一定的起伏，從某種意義上來講當你走到一段漫長且黑暗的光伏企業“破產之路”盡頭時，等待著的將是健康且強壯的光伏制造企業甜蜜的未來。

于此同時雖然現光伏產業正處于寒冬臘月時期，但中國光伏企業為求取自保正在“大雪飄，撲人面，朔風陣陣透骨寒”的無情風雪中不斷創新，為行業發展做著積極有利的貢獻。從2007年光伏行業的真正興起直到現在以有5年的發展時間，在這5年的時間里光伏企業真正的達到了一個高潮人人向往的產業，但金融危機的到來，美對中采取的雙方態度，使得中國光伏企業不得不采取保守態度，尋求更為可靠的出路。

新疆作為中國太陽能資源最豐富的地區之一，水平表面年輻射總量5.3×109-6.7×109焦耳/平方米，年峰值日照時數在1600-2200小時之間。同時，新疆幅員遼闊，總面積達166萬平方公里，而其中大部分為荒漠、戈壁灘，地勢平坦，適合大規模鋪設太陽能光伏列陣。水平表面太陽能年輻射總量在5300至6700兆焦耳每平方米，年峰值日照時數達1600至2200小時，沿阿勒泰山、天山一帶擁有豐富的石英硅資源，僅在準噶爾地區探明儲量就達1.2億噸。除此之外，新疆還具備政策優勢。工信部、國家發改委為支持新疆特色產業發展出臺了差別化的產業政策，為新疆太陽能光伏行業的快速發展提供了難得的歷史機遇。對于新疆的工業電價便宜運營成本降低等諸多優勢，中國國內企業紛紛在此駐足。除此之外中國在經歷“雙反”后還自主研發出了“第二代與第三代”光伏發電技術。何為第二代第三代光伏發電技術?第三代與第二代、第一代發電的技術又有什么差別?

第一代光伏發電技術=晶體硅光伏發電，有單晶硅和多晶硅的差別。優點是光電轉化率較高，缺點是售價較貴，生產多晶硅耗能較多，也容易污染環境。

第二代光伏發電技術=花式品種繁多的薄膜電池，優點是材料用量少，售價較低，重大缺點是光電轉化率只有晶體硅的一半，占地面積也較多。主要品種有：1、非晶、納米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即銅銦鎵硒組成的薄膜。3、TeCd碲化鎘薄膜。

1、為克服“第一代”，“第二代”光伏發電技術“固有”缺點，人們相繼提出發展“第三代”光伏發電技術許多設想。

在中國發展的“第三代”光伏發電技術=“太陽能煉硅+跟蹤+低倍聚光+高效聚光硅電池”。

這首先是新提出的理念，要進一步提高光伏電池的“單位面積”的發電量，降低“單位面積”發電成本;尤其是太陽能發電要多“占地”，“地價”已成為影響發電成本的重要因素!于是人們就希望引入新“元素”，從半導體技術，轉向現代光學，無光像的自適應光學。

如果引入現代光學，引入“跟蹤+聚光”，有可能用一塊單晶硅，或售價較貴的“多結”的單晶硅，發出“多倍”電量;有“可能”用成本較低廉的光學聚光元件，取代、減少使用代價較昂貴的半導體材料和半導體加工技術。

2、聚光可以多發電，這是愛因斯坦光電定律的常識;聚光的前提是跟蹤，這是現代天文望遠鏡已解決的問題。“聚光+跟蹤”就成為進一步降低成本的“第三代”光伏技術的最主要特征。

“太陽能”聚光有許多特殊要求。首先是為適應太陽光在空中不斷移動，人們相繼提出許多新的光學課題：例如，a)如何將移動中的太陽光“均勻”地聚集在某一面，讓光電池更有效地發生電力;光學就從成像光學走向無光像光學。b)如何既聚集來自太陽的直射光，又聚集相當部分的散射光，增加光電池接收的光量;無光像光學就由簡易的窄角聚光走向廣角聚光。c)所聚集的，不僅是正射的光線，還包括斜射的光線;聚光理論就從在軸聚光，發展為斜軸或偏軸聚光。d)技術上還要應用和發展自適應光學的許多技巧，如何因地、因時不斷追蹤陽光，將陽光聚光到某一固定便于應用的方位，如此等。

這一由理論物理研究所陳應天研究員發展的無光像的自適應光學，還在其它領域有許多許多應用，如可制作聚光15000倍，可冶煉高純度的多晶硅，可融熔一切難熔金屬的太陽爐，……等，當前首先是應用到光伏發電、光熱發電。

3、為什么“高效硅基聚光電池”也是“第三代”光電發電技術的一大“特征”?

“高效”可提高單位面積發電量，“高效”可大幅度降低每瓦“聚光+跟蹤”成本;而“聚光”不僅可成倍增加光電池的發電量，“聚光”還能提高光電池的轉化率。理論分析表明，聚光電池輸出功率∝入射光強?ln(入射光強/單位光強)

4、“第三代”光伏發電技術另一“特征”是“綠色”。

當前人們對光伏產業的發展，有不少質疑，工信部就認為光伏產業從高純硅的提煉到光伏組件的生產，有不少“環節”屬高耗能、高污染的行業。而太陽能煉硅就不僅可少耗能，而且沒有污染，已在2011年第7期的《物理學報》Vol.60，No.7(2011)078104，寫了一篇題為《強輻射催化法提純多晶硅》正式發表的論文。

為什么“第三次”光伏技術能大幅度節約多晶硅，而且是綠色技術?原因是：

a、跟蹤：這將使多晶硅的用量減少30%~40%。

b、聚光：4倍聚光，尤其對“直射光”的聚光，可將硅材料、非硅材料的每度電“耗能”下降到原有的1/4。